国林科技：臭氧发生器浓度稳定性高于目标

来源：乐鱼官网进入    发布时间：2025-12-01 02:30:06

  同花顺300033）金融研究中心11月27日讯，有投资者向国林科技300786）发问， 公司在半导体臭氧设备范畴里的竞争对手天津奥尔斯曼声称其半导体臭氧设备为存储芯片定制化出产，因存储芯片3D NAND堆叠层数从128层晋级至232层，要求氧化工艺稳定性提高，需求布置臭氧浓度动摇率

  公司答复表明，敬重的投资者，您好。国林半导体所研发臭氧发生器以及各类功用水设备能满意应用在存储芯片范畴，且浓度稳定性高于上述目标，详细产品介绍请重视公司官网及定时陈述。感谢您的重视。